Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | M. Seyidov, R. A. Suleymanov, E. Acar, A. P. Odrinskij, T. G. Mamedov, A. I. Nadzhafov, V. B. Alieva |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473970 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018)
Теплоемкость кристаллов TlIn₁-x Cex S₂ (0 ≤ x ≤ 0,04)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)
Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)
Thermoelectric figure of merit of TlIn1-xYbxTe2 (0 kh 0.10)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
TlBr: Carrier transport as influenced by defects and Tl ion migration
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
Phase diagram of the Tl2S–Ga2S3 system and the crystal structure of the Tl2Ga20S31 compound
за авторством: O. Tsisar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. Tsisar, та інші
Опубліковано: (2017)
Photochemical modification of the surface of NaI:Tl crystals
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
A possible reason for non-proportionality of response in NaI:Tl and CsI:Tl scintillation crystals
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Photoluminescence of Tl4HgI6 single crystals
за авторством: A. I. Kashuba, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kashuba, та інші
Опубліковано: (2020)
The nature of precipitates on the internal surfaces of NaI:Tl crystals
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: K. A. Kudin, та інші
Опубліковано: (2011)
КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
Structural transformations in Tl4HgI6 and Tl4CdI6 crystals as evidenced by dielectric properties and conductivity
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Structural transformations in Tl4HgI6 and Tl4CdI6 crystals as evidenced by dielectric properties and conductivity
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Franiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2005)
Resonant transparency of a photonic crystal with a defect of layered superconducto
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2017)
Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)
Phase equilibria in the Tl4SnSe4—TlBiSe2—Tl9BiSe6 quasiternary system
за авторством: Ye. Barchii, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ye. Barchii, та інші
Опубліковано: (2011)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
XPS experiment dataset for crystal Tl3PbBr5
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2012)
Production of TlGa(In)Se2 crystals and the effect of cation substitution on their physical parameters
за авторством: O. Parasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. Parasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Terahertz transverse-magnetic-polarized waves localized on layered superconductor defect in photonic crystals
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of doping and annealing on crystal structure and magnetic properties of La1–xAgxMnO3 magnetic nanoparticles
за авторством: M. Zentkovб, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. Zentkovб, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018)
Crystal structure of isovalent substituted layered indates Ba1−x SrxLa2In2O7
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2016)
Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of copper intercalation on thermoelectric properties change in Bi2Te3<Cu> doped crystals during storage
за авторством: A. P. Alieva, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. P. Alieva, та інші
Опубліковано: (2016)
The specifics of radiative annihilation of self-trapped excitons in KI–Tl crystal at low temperature deformation
за авторством: Sh. Shunkeev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sh. Shunkeev, та інші
Опубліковано: (2016)
Heavy doped organic crystals ordering
за авторством: V. A. Lykah, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. A. Lykah, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018) -
Теплоемкость кристаллов TlIn₁-x Cex S₂ (0 ≤ x ≤ 0,04)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000) -
Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012) -
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019) -
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)