Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal

Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	M. Seyidov, R. A. Suleymanov, E. Acar, A. P. Odrinskij, T. G. Mamedov, A. I. Nadzhafov, V. B. Alieva
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Low Temperature Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473970
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