Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | M. Seyidov, R. A. Suleymanov, E. Acar, A. P. Odrinskij, T. G. Mamedov, A. I. Nadzhafov, V. B. Alieva |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473970 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018) -
Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006) -
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
за авторством: Seyidov, М.Yu., та інші
Опубліковано: (2014) -
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019) -
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Effective Mass of a TlInS₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2016)