Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | V. V. Vajnberg, A. S. Pilipchuk, V. N. Poroshin |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000475989 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Parallel magnetotransport in multiple quantum well structures
за авторством: Sheregii, E.M., та інші
Опубліковано: (2004) -
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of narrow inner barriers on low-temperature lateral conduction in quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014) -
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)