Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | I. V. Pliushchai, O. I. Pliushchai, V. A. Makara |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000478693 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Ab initio calculation of the equilibrium positions and electronic spectra of oxygen and carbon impurities in silicon
за авторством: T. V. Horkavenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Ab initio modeling of the amorphization process in a Fe–Zr system
за авторством: I. V. Pliushchai, та інші
Опубліковано: (2015) -
The choice of silicon nanostructures for CH₄ detection: ab-initio calculation
за авторством: Balabai, R.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
The choice of silicon nanostructures for CH4 detection: ab-initio calculation
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2014) -
Ab initio calculations of three-body interaction in cryocrystals under pressure
за авторством: E. E. Gorbenko, та інші
Опубліковано: (2011)