Influence of narrow inner barriers on low-temperature lateral conduction in quantum wells
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | V. V. Vajnberg, A. S. Pilipchuk, N. V. Bajdus, A. A. Birjukov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000482278 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020) -
Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014) -
The effect of structure on the low-temperature electrical conductivity of carbon nanocomposite temperature sensors
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2019) -
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018) -
Properties of a charge in the nanoheterosystems with quantum wells and barriers
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)