Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | P. I. Baranskii, G. P. Haidar |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Journal of thermoelectricity |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000579583 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2012) -
On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022) -
Anisotropic scattering theory and relevant problems of the kinetics of electron processes in many-valley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2013) -
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013) -
On the critical behaviour of random anisotropy magnets: cubic anisotropy
за авторством: Dudka, M., та інші
Опубліковано: (2001)