Interaction influence in systems M2Se3—Ge (M – In,Sb) on properties of thin-film coatings
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | V. F. Zinchenko, V. E. Chigrinov, I. R. Magunov, A. O. Stojanov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Ukrainian Chemistry Journal |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000664616 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Effect of interaction in systems ytterbium chalcospinel—germanium on properties of thin-film coatings
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005)
The formation mechanism of modified thin-film structures based on Ge-Se(S) systems and its influence on physical properties
за авторством: Horvat, G.T., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Horvat, G.T., та інші
Опубліковано: (2007)
Optical properties of Ge-As-S thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Interaction in the system ZnS—ZnO—Sb2S3
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
за авторством: Shchurova, T.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Shchurova, T.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of sol–gel synthesis conditions on properties of thin films of M-type barium hexaferrite
за авторством: E. D. Soloveva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. D. Soloveva, та інші
Опубліковано: (2014)
The influence of cyclic deformations on the elektrophysical characteristics of polycrystalline thin films (Bi0,3Sb0,7)2Te3
за авторством: Sh. D. Sultonov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sh. D. Sultonov, та інші
Опубліковано: (2009)
Spectroscopic research of interactions in MgF2—MgO—Ge system
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Size effects in thin PbSe films
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural and morphological properties of annealed films of the As2S3-Sb2S3-SbI3 system
за авторством: Грещук, О. М., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Грещук, О. М., та інші
Опубліковано: (2023)
Low-temperature magnetic viscosity in GaMnSb thin films, containing MnSb clusters
за авторством: A. I. Dmitriev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. I. Dmitriev, та інші
Опубліковано: (2016)
Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Laser-induced changes in optical properties of amorphous films of the system Ge-Se
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024)
Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical proferties of PrSb₂ thin films of dark blue coloring
за авторством: Jabua, Z.U., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Jabua, Z.U., та інші
Опубліковано: (2013)
Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011)
Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: H. H. Amer, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: H. H. Amer, та інші
Опубліковано: (2011)
Structure of Cu-In-Se thin films of variable composition
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2009)
CRYSTALS GROWTH AND REFINEMENT OF THE Cu3SbSe3 CRYSTAL STRUCTURE
за авторством: Chorba , Onika, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Chorba , Onika, та інші
Опубліковано: (2022)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
Optical proferties of PrSb2 thin films of dark blue coloring
за авторством: Z. U. Jabua, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. U. Jabua, та інші
Опубліковано: (2013)
ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)
Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
за авторством: M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)
Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
за авторством: M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)
Optical studies of as-deposited and annealed Cu₇GeS₅I thin films
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2016)
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
ICRF – volume charge - antenna edge interactions in the U-3M and U-2M torsatrons. Part 3. ICRF − VSC interaction
за авторством: Berezhnyj, V.L.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Berezhnyj, V.L.
Опубліковано: (2017)
Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process
за авторством: I. V. Babiichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. V. Babiichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system
за авторством: Yu. Bobyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. Bobyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Effect of interaction in systems ytterbium chalcospinel—germanium on properties of thin-film coatings
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2015) -
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010) -
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010) -
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005) -
The formation mechanism of modified thin-film structures based on Ge-Se(S) systems and its influence on physical properties
за авторством: Horvat, G.T., та інші
Опубліковано: (2007)