On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | A. V. Babich |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000694778 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of deformations with higher multiplicities on the barrier height of nuclei
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)
Minimum barrier height for symmetric and asymmetric nuclear systems
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)
Minimum barrier height for symmetric and asymmetric nuclear systems
за авторством: Yu. Denisov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Denisov, та інші
Опубліковано: (2015)
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Dielectric functions of thermal electrons polarization of dry atmosphere (up to the heights of 12 km)
за авторством: T. A. Belyj, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. A. Belyj, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation
за авторством: Asmontas, S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Asmontas, S., та інші
Опубліковано: (2000)
Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures
за авторством: Tkachuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tkachuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Dielectric functions of thermal electrons polarization of dry atmosphere (up to the heights plane of 12 km)
за авторством: Belyi, T.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Belyi, T.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) Oxide films
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Kinetics of Dispersion—Coagulation at Annealing of Metal Nanofilms Deposited on the Surface of Non-Metallic Materials
за авторством: Ju. V. Najdich, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ju. V. Najdich, та інші
Опубліковано: (2014)
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
Influence of dielectric barrier discharge on beet seeds germination
за авторством: Nedybaliuk, O.A., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Nedybaliuk, O.A., та інші
Опубліковано: (2023)
Determination of the maximum height face of blasted rock at work front wheel loaders
за авторством: O. A. Anisimov
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. A. Anisimov
Опубліковано: (2013)
Influence of the electroneutrality of a metal layer on the plasmon spectrum in dielectric–metal–dielectric structures
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2019)
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)
Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
Application of atmospheric dielectric barrier discharge plasma for polyethylene powder modification
за авторством: Píchal, J., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Píchal, J., та інші
Опубліковано: (2006)
Ozone generator based on surface dielectric barrier discharge with pulse power supply
за авторством: Lozina, A.S., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Lozina, A.S., та інші
Опубліковано: (2023)
The Height of the Population of Old Rus Halych
за авторством: T. O. Rudych
Опубліковано: (2022)
за авторством: T. O. Rudych
Опубліковано: (2022)
Схожі ресурси
-
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014) -
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014) -
Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of deformations with higher multiplicities on the barrier height of nuclei
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Minimum barrier height for symmetric and asymmetric nuclear systems
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)