Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. A. Grynchuk, I. P. Koval, M. G. Nakhodkin |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian journal of physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000694825 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
von: Grynchuk, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)