Effect of the deposition technological parameters on the transparences distribution functions of Josephson junction barriers
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Shaternik, A. P. Shapovalov, T. O. Prikhna |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Superhard Materials |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000695745 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Josephson Junctions with Various Transparency Distribution Functions on the Base of Two-Band Superconductors
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2013) -
Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shygorin, та інші
Опубліковано: (2017) -
Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shyhorin, та інші
Опубліковано: (2017) -
Tunnel heterojunctions based on MgB2 thin films with different functions of transparency distribution
за авторством: A. P. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2011) -
Low-capacitance Josephson junctions
за авторством: A. P. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2020)