Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | R. J. Liu, Y. B. Cao, C. L. Yan, C. R. Zhang, P. B. He |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Superhard Materials |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000695812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Structure and electrophysical properties of the diamond–graphen–silicon carbide composite
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Changing the performance of diamond finishing of ceramic balls of boron carbide and silicon nitride
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2021)
The influence of machining conditions on performance of diamond grinding of silicon carbide ceramic balls
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2018)
On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Structure formation in silicon carbide–alumina composites during electroconsolidation
за авторством: E. S. Hevorkian, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: E. S. Hevorkian, та інші
Опубліковано: (2022)
Wear of a diamond wheel during grinding of ceramic balls from silicon carbide
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)
Features of the structure formation of secondary silicon carbide synthesized under conditions of the interaction of nano-sized nonstoichiometric silicon carbide with iron oxide
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014)
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2001)
Preparation of the composite particulate material by reduction of chromium oxide, silicon carbide, non-stoichiometric and its practical application
за авторством: N. K. Davidchuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. K. Davidchuk
Опубліковано: (2013)
Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of obtaining nanostructured silicon carbide particles from bamboo chips
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
Kinetics of disintegration of titanium and zirconium nanofilms deposited onto silicon carbide and aluminium nitride as result of annealing them in vacuum
за авторством: Yu. V. Naidich, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. V. Naidich, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Optical properties of silicon carbide obtained by direct ion deposition
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014) -
Structure and electrophysical properties of the diamond–graphen–silicon carbide composite
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002) -
A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013) -
A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)