Low-energy-electron-diffraction structural studies of (100) cleavage surfaces of In4Se3 layered crystals
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | P. V. Galiy, Ya. B. Losovyj, T. M. Nenchuk, I. R. Yarovets |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000696122 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Low-energy-electron-diffraction structural studies of (100) cleavage surfaces of In4Se3 layered crystals
за авторством: P. V. Halii, та інші
Опубліковано: (2014) -
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: Galiy, P., та інші
Опубліковано: (2015) -
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: P. Galiy, та інші
Опубліковано: (2015) -
Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In₄Se₃ layered crystals under interface formation
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008) -
X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)