Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | N. I. Klyui, A. I. Liptuga, V. B. Lozinskii, A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, F. V. Fomovskii, V. O. Yukhymchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000696822 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)
Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride
за авторством: Ilchuk, G.A.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Ilchuk, G.A.
Опубліковано: (2000)
Electron impact ionization of tellurium in the gas phase
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2018)
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)
Average resonance parameters of tellurium and neodymium nuclei
за авторством: M. M. Pravdyvyi, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Pravdyvyi, та інші
Опубліковано: (2012)
Average resonance parameters of tellurium and neodymium nuclei
за авторством: M. M. Pravdivy, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Pravdivy, та інші
Опубліковано: (2012)
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Electron impact excitation and ionization of sulfur, selenium, and tellurium vapors
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2015)
Electron impact excitation and ionization of sulfur, selenium, and tellurium vapors
за авторством: O. B. Shpenik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. B. Shpenik, та інші
Опубліковано: (2015)
The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)
The evaluation of operational degradation of gas pipeline steels by the mechanical stability criterion
за авторством: Yu. Ya. Mieshkov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Ya. Mieshkov, та інші
Опубліковано: (2014)
Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Mathematic modeling the oxygen distribution mechanism in Si ingots during growing processes
за авторством: Oksanich, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Oksanich, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Effect of tellurium on microstructure of low-alloyed cast iron deposited by electroslag method in current-carrying mold
за авторством: Ju. M. Kuskov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. M. Kuskov, та інші
Опубліковано: (2019)
On the mechanism of photoneutron reactions at light tellurium isotopes in the 10–18 MeV interval
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2021)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
The effect of resonance electron–phonon interaction on electronic spectra of tungsten and gallium
за авторством: N. G. Burma, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. G. Burma, та інші
Опубліковано: (2012)
Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
Hardening of magnesium alloy ML4 in alloying with gallium
за авторством: M. A. Khokhlov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. A. Khokhlov, та інші
Опубліковано: (2017)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Structure and short range order of liquid gallium
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)
Optical constants of surface layer on gadolinium gallium garnet: ellipsometric study
за авторством: Belyaeva, A.I., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Belyaeva, A.I., та інші
Опубліковано: (1999)
High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of fibrin degradation products on fibrinolytic process
за авторством: T. A. Yatsenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. A. Yatsenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
Kinetic of the oxidative dehydratation of tert-butanol into methylacrolein over iron–tellurium–molybdenum–oxygen catalist promoted by Mg2+-ions
за авторством: Ye. V. Fedevych, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. V. Fedevych, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014) -
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012) -
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999) -
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003) -
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)