Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | B. A. Nadzhafov, V. V. Dadashova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726903 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)
Low-temperature Hall effect and martensitic transition temperatures in magnetocaloric Ni50Mn35Sb15–xGex (x = 0, 1, 3) alloys
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2021)
Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)
Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Conductive properties of solid solutions Na3−2xFe2−xNbx(PO4)3 (x=0ч1.5)
за авторством: T. I. Ushchapivska, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. I. Ushchapivska, та інші
Опубліковано: (2016)
Engineering of mixed Bi₄(GexSi₁₋x)₃O₁₂ scintillation crystals
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)
Structural and optical properties of Zn1-xCoxO thin films prepared by RF reactive sputtering technique
за авторством: A. I. Savchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. I. Savchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Compositional studies of optical parameters in (Ag3AsS3)x(As2S3)1–x (x = 0.3; 0.6; 0.9) thin films
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2016)
On the recursive sequence x(n+1)=(x(n-(4k+3)))/(1+∏(t=0-2(x(n-(k+1)t-k))))
за авторством: Simsek, D., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Simsek, D., та інші
Опубліковано: (2016)
On the recursive sequence x_(n+1)=(x_(n-(4k+3)))(1+_(t=0)
за авторством: D. Şimşek, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. Şimşek, та інші
Опубліковано: (2016)
Кристаллоструктурное состояние сплавов Mn1+xSb (0 ≤ x ≤ 1.0) после термобарической обработки
за авторством: Рыжковский, В.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Рыжковский, В.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Qualitative Investigation of the Singular Cauchy Problem
$\sum\limits_{k = 1}^n {(a_{k1} t + a_{k2} x)(x')^k = b_1 t + b_2 x + f(t,x,x'),x(0) = 0}$
за авторством: Zernov, A. E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zernov, A. E., та інші
Опубліковано: (2003)
Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
Acousto-optic properties of GexS100–x glasses and acousto-optic modulator on their basis
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2014)
Magnetic properties of multiferroics Bi1–xCaxFe1–xMnxO3 and Bi1–xCaxFe1–xTixO3
за авторством: I. O. Trojanchuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. O. Trojanchuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Techniques for x-ray focusing
за авторством: V. E. Storizhko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. E. Storizhko, та інші
Опубліковано: (2010)
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of atomic substitutions on the electronic structure of Pt1 – xNixMnSb alloys (x = 0.0–1.0)
за авторством: V. N. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. N. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2022)
Effect of atomic substitutions on the electronic structure of Pt1 – xNixMnSb alloys (x = 0.0–1.0)
за авторством: V. N. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. N. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2022)
Radiation/annealing-induced structural changes in GexAs₄₀-xS₆₀ glasses as revealed from high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements
за авторством: Kavetskyy, T.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kavetskyy, T.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Crystal structure and magnetic exchange in solid solutions La1–2xSr2xMn1–xSbxO3 (x ≤ 0.2)
за авторством: D. V. Karpinskij, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Karpinskij, та інші
Опубліковано: (2015)
A Note on the Recursive Sequence $x_{n + 1} = p_kx_n + p_{k − 1}x_{n − 1} +...+ p_1x_{n − k + 1}$
за авторством: Stevic, S., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Stevic, S., та інші
Опубліковано: (2003)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Bletskan, D. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Bletskan, D. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)