Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | M. I. Kliui, A. I. Liptuha, V. B. Lozinskyi, A. P. Oksanych, S. E. Prytchyn, F. V. Fomovskyi, V. O. Yukhymchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726921 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014) -
Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006) -
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012) -
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002) -
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)