Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires

Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	A. A. Nikolaeva, L. A. Konopko, P. P. Bodiul, A. K. Tsurkan
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Journal of thermoelectricity
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000757639
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Effect of the lifshitz topological transitions induced by tensile deformation on the thermopower and resistance of bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2015)

Lifshitz topological transitions induced by doping and deformation in single-crystal Bi wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2017)

Size Effects in Resistance and Thermopower in Magnetic Field of Bi Nanowires Alloyed with Acceptor and Donor Impurities
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)

The impact of dimensions, magnetic field, elastic deformation on the thermoelectric figure of merit of the topological insulator wires based on semiconductor Bi1-xSbx wires
за авторством: A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2016)

Phonon Drag Thermopower in Quantum Wire with Parabolic Confinement Potential
за авторством: Abbasov, I.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Effect of Ca(Ce) doping on thermopower of LaMnO₃ manganites
за авторством: Varshney, D., та інші
Опубліковано: (2010)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2009)

Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: Paiuk, A.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals
за авторством: Shpilinskaya, A.L., та інші
Опубліковано: (2019)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: A. P. Paiuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)

The effect of glass transition in fullerite C60 on Ar impurity diffusion
за авторством: A. V. Dolbin, та інші
Опубліковано: (2013)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Topological Lifshitz transitions
за авторством: Volovik, G.E.
Опубліковано: (2017)

Topological Lifshitz transitions
за авторством: G. E. Volovik
Опубліковано: (2017)

Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)

Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)

Quantum topological effects in a metallic ring with an Anderson impurity
за авторством: Zvyagin, A.A.
Опубліковано: (1995)

Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)

The Energy Spectrum of Graphene Doped with Nitrogen Impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Concise guide for electronic topological transitions
за авторством: A. A. Varlamov, та інші
Опубліковано: (2021)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Features doping barium titanate powder nanodispersed to obtain relaks-ferroelectrics with diffuse phase transition
за авторством: O. A. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Transitive Maps on Topological Spaces
за авторством: Ye. Bilokopytov, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Diffusion of chromium and impurity absorption in ZnS crystals
за авторством: Nitsuk, Yu.A.
Опубліковано: (2013)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)