Зображення обкладинки

Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	E. M. Godzhayev, J. I. Guseinov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Journal of thermoelectricity
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000757640
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
за авторством: Глух, О.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2011)

The effects of strong correlations on the band structure of Ag₈SnSe₆ argyrodite
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)

Phase equilibria in the Tl4SnSe4—TlBiSe2—Tl9BiSe6 quasiternary system
за авторством: Ye. Barchii, та інші
Опубліковано: (2011)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Electronic structure of 2H-SnSe₂: ab initio modeling and comparison with experiment
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2016)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)

Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)

Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)

Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Research on the ZR1-xVx NiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2018)

Research on the ZR1-xVx NiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of TiNi1-xCuxSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2016)

Magnetic and superconducting properties of FeSe₁–xTex (x≃0, 0.5, and 1.0)
за авторством: Fedorchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Uncooled SЂ(Pb1-xSnxSe)-n(CdSe) hetero-structure-based spectral range
за авторством: Ya. I. Lepikh, та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)

Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021)

Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrical conductivity mechanisms of ZrNi1-xRhxSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical conductivity mechanisms of ZrNi1-xRhxSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2017)

Optimization of parameters of the new thermoelectric material HfNiSn1–xSbx
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014)

Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
за авторством: Tagiyev, B.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Materials for optical sensors of X-ray irradiation based on (GaxIn1 – x)2Se3 films
за авторством: M. M. Pop, та інші
Опубліковано: (2022)

Materials for optical sensors of X-ray irradiation based on (GaxIn1 – x)2Se3 films
за авторством: M. M. Pop, та інші
Опубліковано: (2022)