Phase analysis and electrophysical properties of InGaTe2
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | E. M. Godzhayev, U. S. Abdurakhmanova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Journal of thermoelectricity |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000758049 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Phase composition and electrophysical properties of iron films
за авторством: S. I. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. I. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Nuclear Te chnologies and Electrophysical Equipment for Medicine
за авторством: Yu. Storizhko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. Storizhko, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
Phase equilibria in the system Tl2Te—SnTe—PbTe
за авторством: M. Y. Filep, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. Y. Filep, та інші
Опубліковано: (2012)
Band structure of TlInTe2 and thermoelectric figure of merit of solid solutions on its basis
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
Defects in Lamellar Phases of the Bi2Te3—Te Eutectics
за авторством: M. A. Ramazanov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. A. Ramazanov, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrophysical properties of polymer nanocomposites on the basis of heterostructures Ag2S/CdS
за авторством: E. V. Kotenok, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Kotenok, та інші
Опубліковано: (2012)
Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
Electrophysical properties of diamond composite material
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
The electrophysical properties of polymer-graphene oxide system
за авторством: O. M. Lisova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. M. Lisova, та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal Effect on the Phase Composition, Electrophysical and Magnetoresistive Properties of Film Systems Based on Co, Fe, and Gd
за авторством: S. I. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrophysical properties of polychlortrifluoroethylene/copper iodide system
за авторством: R. V. Mazurenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. V. Mazurenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrophysical properties of A3 IILaNb3O12 (AII = Sr, Ba) with slab perovski -te-like structure
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2021)
Phase diagram of the Tl2S–Ga2S3 system and the crystal structure of the Tl2Ga20S31 compound
за авторством: O. Tsisar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. Tsisar, та інші
Опубліковано: (2017)
Phase portraits of deformation effects on strain-sensitive Bi2Te3 and Sb2Te3 films
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrophysical properties of carbon nanotubes/NiCo composites
за авторством: O. M. Lisova, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. M. Lisova, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of Ag2Te on transport properties of (AgSbTe2)0.9(PbTe)0.1
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of Ag2Te on transport properties of (AgSbTe2)0.9(PbTe)0.1
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2021)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Crystals Cd₁₋x ZnxTe – a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparations, structure defectness and electrophysical properties
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Phase composition and thermoelectric properties of materials in Pb-Ag-Te system
за авторством: M. O. Haluschak, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: M. O. Haluschak, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrophysical properties of BaNd2−xSmxIn2O7 with slab perovskite-like structure
за авторством: Y. A. Titov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Y. A. Titov, та інші
Опубліковано: (2024)
Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)
Designing finishing materials with a gradient of electrophysical properties
за авторством: Y. Biruk
Опубліковано: (2022)
за авторством: Y. Biruk
Опубліковано: (2022)
The electrophysical and optical properties of gadolinium monoantimonide thin films
за авторством: Jabua, Z., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Jabua, Z., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Phase composition and electrophysical properties of iron films
за авторством: S. I. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019) -
Nuclear Te chnologies and Electrophysical Equipment for Medicine
за авторством: Yu. Storizhko, та інші
Опубліковано: (2013)