Phase analysis and electrophysical properties of InGaTe2
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | E. M. Godzhayev, U. S. Abdurakhmanova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Journal of thermoelectricity |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000758049 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Phase composition and electrophysical properties of iron films
за авторством: S. I. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Electrophysical properties of SmxPb₁₋xTe solid solutions
за авторством: Hasanov, H.A.
Опубліковано: (2009) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)