Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk, M. M. Filonenko, V. V. Shlapatska |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2021
|
| Schriftenreihe: | Nuclear physics and atomic energy |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001296878 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: O. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: O. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
von: M. Y. Chumak, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: M. Y. Chumak, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
von: Tsybulenko, V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Tsybulenko, V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Measurement of the photometric characteristics of LEDs
von: Nazarenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Nazarenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Antioxidant system of Spirulina platensis (Nordst.) Geitler under the LED lighting of different spectral compositions
von: N. V. Kozel, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: N. V. Kozel, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Degradation processes in LED modules
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Degradation processes in LED modules
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Influence of variation of electrical parameters values of RGB LEDs on the radiation uniformity of LED displays at minimal luminosity grade
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
On application of heat-conductive plastics in LED technology
von: Yu. V. Trofimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Yu. V. Trofimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)