Mechanical modification of electronic properties of ultrathin β-Ga2O3 films
Збережено в:
Дата: | 2021 |
---|---|
Автори: | R. M. Balabai, V. M. Zdeschits, M. V. Naumenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2021
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001297275 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Mechanical modification of electronic properties of ultrathin β-Ga2O3 films
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2021) -
Модифікація електронних властивостей надтонких плівок β-Ga2O3 механічними впливами
за авторством: Balabai, R.M., та інші
Опубліковано: (2021) -
Structural and physical properties of ultrathin bismuth films
за авторством: V. L. Karbivskyy, та інші
Опубліковано: (2021) -
Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
за авторством: Żuberek, R., та інші
Опубліковано: (2012) -
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)