Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | L. O. Olimov, B. M. Abdurakhmanov, F. L. Omonboev |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Physical surface engineering |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971636 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
von: L. O. Olimov, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
von: B. M. Abdurakhmanov, et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
von: O. T. Bohorosh, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
von: L. O. Olimov
Veröffentlicht: (2010) -
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2015)