Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. V. Karimov, A. A. Karimov, A. Z. Rakhmatov, K. T. Dadamatova |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Physical surface engineering |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971638 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
von: A. Z. Rakhmatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. Z. Rakhmatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: O. V. Tretyak, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: O. V. Tretyak, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
von: A. Z. Rakhmatov
Veröffentlicht: (2013)
von: A. Z. Rakhmatov
Veröffentlicht: (2013)
Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
von: V. L. Borblik
Veröffentlicht: (2019)
von: V. L. Borblik
Veröffentlicht: (2019)
Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
von: N. F. Karushkin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: N. F. Karushkin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
von: Sh. B. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Sh. B. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
von: A. B. Gnilenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: A. B. Gnilenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Frequency multipliers on semiconductor diode structures
von: N. F. Karushkin
Veröffentlicht: (2018)
von: N. F. Karushkin
Veröffentlicht: (2018)
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
von: Ya. Bomba, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Ya. Bomba, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
von: V. V. Korotyeyev, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. V. Korotyeyev, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Dynamics of two-frequency avalanche-generator diodes of microwave range
von: K. A. Lukin, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: K. A. Lukin, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
von: Gorban, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Gorban, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
von: Borblik, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Borblik, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2005)
A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
von: R. A. Mumimov, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: R. A. Mumimov, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
von: Mumimov, R.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Mumimov, R.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
von: Plaksin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Plaksin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
von: Rakhmatov, A.Z., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Rakhmatov, A.Z., et al.
Veröffentlicht: (2012)
High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode
von: Pashchenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pashchenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
von: Ya. O. Linevych, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Ya. O. Linevych, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Graded-gap AlInN Gunn diodes
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
von: O. M. Ivashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: O. M. Ivashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
von: Ivashchenko, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ivashchenko, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Ähnliche Einträge
-
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
von: A. Z. Rakhmatov, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: O. V. Tretyak, et al.
Veröffentlicht: (2010)