Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | A. V. Karimov, D. M. Jodgorova, O. A. Abdulkhaev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001030972 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014) -
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)