Зображення обкладинки

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	A. V. Karimov, D. M. Jodgorova, O. A. Abdulkhaev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001030972
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Determination of potential distribution in a three-barrier structure
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

History and collective memory as a phenomenon
за авторством: K. V. Yevsieiev
Опубліковано: (2013)

Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)

The study of the phenomenon of historical memory in Ukraine: historiographical aspects
за авторством: O. V. Priadko
Опубліковано: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Non-perturbation theory of electronic dynamic conductivity for two-barrier resonance tunnel nano-structure
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shygorin, та інші
Опубліковано: (2017)

Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shyhorin, та інші
Опубліковано: (2017)

Literary canon: phenomenon of cultural memory or the instrument of social domination
за авторством: U. M. Fedoriv
Опубліковано: (2005)

Active conductivity of plane two-barrier resonance tunnel structure as operating element of quantum cascade laser or detector
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)

Effect of nonlinear electron-electron interaction on electron tunneling through an asymmetric two-barrier resonance tunnel structure
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of nonlinear electron-electron interaction on electron tunneling through an asymmetric two-barrier resonance tunnel structure
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2012)

Phototransistor composite on field effect transistors
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Thin-film solar converters based on the p-Cu₁.₈S/n-CdTe surface-barrier structure
за авторством: Bobrenko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2015)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)

Digital Transformation of Business Structures in Ukraine: The Barriers and Drivers
за авторством: M. I. Chepeliuk
Опубліковано: (2021)

Thin-film solar converters based on the p-Cu1. 8S/n-CdTe surface-barrier structure
за авторством: Yu. N. Bobrenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride
за авторством: Ilchuk, G.A.
Опубліковано: (2000)

Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Communication barriers in negotiation
за авторством: Danilova, E.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Chiral tunneling through the single barrier structure based on the α-T3 model
за авторством: A. M. Korol, та інші
Опубліковано: (2021)