Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. V. Karimov, D. M. Jodgorova, O. A. Abdulkhaev |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Physical surface engineering |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001030972 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)