Influence of surface and intergrain boundaries scattering mechanisms of current carriers in thin films based on tin telluride
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | D. M. Freik, B. S. Dzundza, I. I. Chaviak, V. I. Makovyshyn, I. A. Arseniuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001030978 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Thermoelectric properties of thin films based on pure and doped lead telluride
за авторством: B. S. Dzundza, та інші
Опубліковано: (2016) -
The Influence of Surface on Scattering of Carriers and Kinetic Effects in n-PBTE Films
за авторством: Ruvinskii, M.A., та інші
Опубліковано: (2017) -
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016) -
Analytical model for intergrain expansion and cleavage: random grain boundaries
за авторством: Mazilova, T.I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Thermoelectric vapour-phase condensate of p-type tin telluride
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)