The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals

The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	V. B. Boledziuk, Z. D. Kovaliuk, Z. R. Kudrynskyi, B. V. Kushnir, O. S. Lytvyn, A. D. Shevchenko
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031059
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical properties of InSe and Bi2Te3 layered single crystals intercalated with C3H8O3
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-organization of magnetic nanostructures on the surface of layers of layered In2Se3 crystals intercalated with cobalt
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Light absorption by excited exciton states in layered InSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Low-temperature vibration characteristics in InSe single crystals intercalated by Ni
за авторством: Baran, A., та інші
Опубліковано: (2015)

Low-temperature vibration characteristics in InSe single crystals intercalated by Ni
за авторством: A. Baran, та інші
Опубліковано: (2015)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
за авторством: S. V. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
за авторством: Kaminskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical properties of fast cooled inse single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Properties of hybrid structures grown on the basis of nanocomposite (Ni-C) on the van der Waals surface (0001) GaSe
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2012)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2017)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe < RbNO3>
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)