Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | I. B. Sapaev, Sh. A. Mirsagatov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031061 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectrical analysis of n-TiO₂/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: Brus, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Brus, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe
за авторством: A. I. Mostovoj, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. I. Mostovoj, та інші
Опубліковано: (2013)
ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure
за авторством: Semikina, T.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Semikina, T.V., та інші
Опубліковано: (2013)
ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1. 8S heterostructure
за авторством: T. V. Semikina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. V. Semikina, та інші
Опубліковано: (2013)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Simulation Study of n-ZnO/p-Si Heterojunction Solar Cell
за авторством: Pogrebnyak, A.D., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pogrebnyak, A.D., та інші
Опубліковано: (2011)
Simulation study of n-ZnO/p-Si heterojunction solar cell
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011)
Structure and optical properties of CdS polycrystalline layers for solar cells based on CdS/CdTe
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Metastable interstitials in CdSe and CdS crystals
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
Синтез та електрофізичні властивості гетероструктур CuS/CdS та Ag₂S/CdS
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Електрофізичні характеристики композитних матеріалів ПВДФ–CuS/CdS та ПВДФ–Cu₂S/CdS
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
Amphoteric center of luminescence in CdS
за авторством: Artem'jeva, O. O., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Artem'jeva, O. O., та інші
Опубліковано: (2005)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrophysical characteristics of the polyvinylidenefluo-ride–CuS/CdS and polyvinylidenefluoride–Cu2S/CdS composite materials
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si
за авторством: Алимов, Н., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Алимов, Н., та інші
Опубліковано: (2009)
A facile route for preparation of CdS nanoparticles
за авторством: Maleki, M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Maleki, M., та інші
Опубліковано: (2007)
Thin film solar cells on CdS/CdTe/ITO base
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014) -
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013) -
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)