Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | I. B. Sapaev, Sh. A. Mirsagatov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031061 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014) -
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
за авторством: Sapaev, I.B.
Опубліковано: (2013) -
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)