Sublinear reverse current-voltage characteristics of thick film structures based on CdTe
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | Sh. A. Mirsagatov, A. S. Achilov, B. N. Zaverjukhin |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031062 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013) -
The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base
за авторством: Mirsagatov, Sh.A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012) -
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012) -
Contact electrodeposition of CdTe thin films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)