Зображення обкладинки

Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	A. F. Djadenchuk, V. V. Kidalov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031643
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Optical properties of p-type porous GaAs
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)

The influence of Cr concentration on time resolution of GaAs detectors
за авторством: Fedorenko, L.L., та інші
Опубліковано: (2006)

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)

Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
за авторством: S. V. Biletskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
за авторством: S. V. Zajtsev
Опубліковано: (2012)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)