Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. F. Djadenchuk, V. V. Kidalov |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Physical surface engineering |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031643 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
von: G. A. Pashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: G. A. Pashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
von: Pashchenko, G.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Pashchenko, G.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Optical properties of p-type porous GaAs
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
von: I. R. Jatsunskij
Veröffentlicht: (2013)
von: I. R. Jatsunskij
Veröffentlicht: (2013)
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
von: Daweritz, L., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Daweritz, L., et al.
Veröffentlicht: (1998)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
von: Semenova, G.N., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Semenova, G.N., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
von: Belgat, M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Belgat, M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
von: Sapaev, B., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Sapaev, B., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ähnliche Einträge
-
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011) -
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
von: G. A. Pashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
von: Pashchenko, G.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)