Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. F. Djadenchuk, V. V. Kidalov |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Physical surface engineering |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031643 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011) -
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
von: G. A. Pashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Optical properties of p-type porous GaAs
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)