The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | G. Guljamov, M. G. Dadamirzaev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031646 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Phase portraits of deformation effects in semiconductors in the pulsed mode
за авторством: M. G. Dadamirzaev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Effect of electron irradiation on excess conductivity of single Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Excess electron transport in cryoobjects
за авторством: Eshchenko, D.G., та інші
Опубліковано: (2003) -
Phase portraits of deformation effects on strain-sensitive Bi2Te3 and Sb2Te3 films
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Effect of oxygen deficit on temperature dependence of excess conductivity in Y₁Ba₂Cu₃O₇-δ single crystals
за авторством: Bondarenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)