Зображення обкладинки

Technological bases forming porous space surface phosphide indium

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автор:	Ya. O. Sychikova
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031647
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)

Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)

Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)

The effect of the electrolyte composition on the value of the threshold voltage of the onset of pore formation of indium phosphide
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)

Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Transverse chemomagnetic EDS in indium phosphide upon interaction with atomic hydrogen
за авторством: V. V. Styrov, та інші
Опубліковано: (2011)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of boron phosphides
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of boron phosphides
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Forming porous structure of sorbents based on metal-organic frameworks
за авторством: Ja. O. Shablovskij
Опубліковано: (2019)

Indium induced nanostructures on In₄Se₃(100) surface studied by scanning tunneling microscopy
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2013)

On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)

On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of low nickel contents on the surface tension and density of nickel–indium melts
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of low nickel contents on the surface tension and density of nickel–indium melts
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)

Photoemission spectra of indium selenide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)

The possibility of using filamentous fungus in the technology of the formation of highly porous surfaces on biocompatible substances
за авторством: M. O. Vorobets, та інші
Опубліковано: (2018)

Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)

Cadmium phosphide as a new material for infrared converters
за авторством: Stepanchikov, D., та інші
Опубліковано: (2006)

Self-propagating high-temperature synthesis of boron phosphide
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2013)

The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optoelectronic sensor structure based on porous alumina films formed by pulsed laser deposition
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2012)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

Excitons into one-axis crystals of zinc phosphide (Zn₃P₂)
за авторством: Stepanchikov, D.M., та інші
Опубліковано: (2009)

New ternary hafnium phosphide with the Fe2P crystal structure
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2019)

Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)

Calculation of the spectra of characteristic electron losses in indium bromide
за авторством: Kolinko, M.O., та інші
Опубліковано: (2007)

Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)

Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Controlled technology of anodic alumina porous nanostructures
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Photosensitive porous silicon based structures
за авторством: Svechnikov, S.V., та інші
Опубліковано: (1998)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)