Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
Збережено в:
Дата: | 2021 |
---|---|
Автори: | S. I. Pokutnyi, N. G. Shkoda |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2021
|
Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001302213 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022) -
Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018) -
Optical parameters of nanocomposite films of porous aluminium oxide with quantum dots of silicon or germanium
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013) -
Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013) -
The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)