Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Konoreva, P. H. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331703 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes
за авторством: Fenenko, L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Fenenko, L., та інші
Опубліковано: (2007)
Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)
Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Europium coordination compounds based on carbacylamidophosphate ligands for metal-organic light-emitting diodes (MOLEDs)
за авторством: O. O. Litsis, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Litsis, та інші
Опубліковано: (2013)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)
Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)
Application of N-dimethyl benzoylamidophosphate-based coordination compounds in the development of the technology for metalloorganic light-emitting diodes (MOLED)
за авторством: N. S. Kariaka, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. S. Kariaka, та інші
Опубліковано: (2014)
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Light-emitting properties of BN synthesized by different techniques
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2020)
Light-emitting properties of BN synthesized by different techniques
за авторством: Rudko, G.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Rudko, G.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures
за авторством: Lyashenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lyashenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Acoustic-emission method of control of defects-formation process in light-emitting structures
за авторством: O. V. Lyashenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. V. Lyashenko, та інші
Опубліковано: (2010)
A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
за авторством: H. Neidhardt, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: H. Neidhardt, та інші
Опубліковано: (2014)
A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
за авторством: Neidhardt, H., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Neidhardt, H., та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
Probing of quantum turbulence with the emitting vortex loops
за авторством: Nemirovskii, S.K.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Nemirovskii, S.K.
Опубліковано: (2014)
Probing of quantum turbulence with the emitting vortex loops
за авторством: S. K. Nemirovskii
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. K. Nemirovskii
Опубліковано: (2014)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)