Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | A. P. Dolgolenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331704 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014) -
The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007) -
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)