Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | A. P. Dolgolenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331704 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
Optical parameters of nanocomposite films of porous aluminium oxide with quantum dots of silicon or germanium
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of magnetic field on microhardness of germanium
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Photostimulated etching of germanium chalcogenide films
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
Photostimulated etching of germanium chalcogenide films
за авторством: Dan’ko, V.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dan’ko, V.A., та інші
Опубліковано: (2012)
The process of accumulation of germanium in the coal of Ukraine
за авторством: A. F. Bulat, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. F. Bulat, та інші
Опубліковано: (2021)
Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Configurational splitting in Raman scattering spectra of crystals with the order-disorder type phase transitions
за авторством: Stasyuk, I.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Stasyuk, I.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Resistance thermometers based on the germanium films
за авторством: Mitin, V.F.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mitin, V.F.
Опубліковано: (1999)
On convolutions on configuration spaces. I. Spaces of finite configurations
за авторством: Finkelshtein, D. L., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Finkelshtein, D. L., та інші
Опубліковано: (2012)
Kaleidoscopical configurations
за авторством: I. Protasov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. Protasov, та інші
Опубліковано: (2014)
Kaleidoscopical configurations
за авторством: Protasov, І., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Protasov, І., та інші
Опубліковано: (2014)
The Chebyshev approximation thermometric characteristics germanium microsensors
за авторством: P. S. Malachivskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. S. Malachivskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
On convolutions on configuration spaces. II. spaces of locally finite configurations
за авторством: Finkelshtein, D. L., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Finkelshtein, D. L., та інші
Опубліковано: (2012)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
DISTRIBUTION OF GERMANIUM IN THE COAL OF THE LVIV-VOLYN BASIN
за авторством: Бучинська, І.В., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Бучинська, І.В., та інші
Опубліковано: (2023)
Galvanomagnetic position micro-gauges based on germanium microwire
за авторством: E. A. Alejnikov, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: E. A. Alejnikov, та інші
Опубліковано: (2006)
High-power low-frequency current oscillations in germanium samples
за авторством: Pavljuk, S.P.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pavljuk, S.P.
Опубліковано: (2003)
Comparison of compact toroid configurations
за авторством: Bellan, P.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Bellan, P.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Geochemistry of germanium of coal of the Lviv-Volyn coal basin
за авторством: I. Buchynska, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. Buchynska, та інші
Опубліковано: (2015)
Approaches to configuring reusable assets
за авторством: Kolesnik, A.L.
Опубліковано: (2025)
за авторством: Kolesnik, A.L.
Опубліковано: (2025)
Enrichment of Edible Mushroom Biomass with Compounds of Germanium, Selenium, and Molybdenum
за авторством: H. A. Hrodzynska, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: H. A. Hrodzynska, та інші
Опубліковано: (2019)
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014) -
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016) -
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)