Зображення обкладинки

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автор:	A. P. Dolgolenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331958
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)

Observation of parametric X-ray radiation excited by 50 GeV protons and identification of background radiation origin
за авторством: Afonin, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

Radiation-induced defect's clustering and self-organization during surface modification
за авторством: Bondareva, A.L., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO₂ structure
за авторством: Steblenko, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and sathodoluminescence in Si/SiO2 structure
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2011)

The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of transformation of impurity-defect complexes in SdTe:Sl under the influence of microwave radiation
за авторством: S. I. Budzuljak, та інші
Опубліковано: (2014)

Radiation modification of intrinsic defect structure of TiO2 films with nanoparticles of noble metals
за авторством: T. O. Busko, та інші
Опубліковано: (2012)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Radiation defects in solids
за авторством: A. I. Olemskoj, та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Fluorescence of radiation modification polytetrafluoroethylene
за авторством: T. V. Sakhno, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy
за авторством: Grinberg, Marek
Опубліковано: (2007)

Luminescence modification of CsI crystal activated by CsCI impurity
за авторством: Voloshinovskii, A., та інші
Опубліковано: (2007)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)