Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
1. Verfasser:	A. P. Dolgolenko
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Nuclear physics and atomic energy
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000331958
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Radiation-induced defect's clustering and self-organization during surface modification
von: Bondareva, A.L., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Observation of parametric X-ray radiation excited by 50 GeV protons and identification of background radiation origin
von: Afonin, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2013)

The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
von: Dolgolenko, A.P.
Veröffentlicht: (2006)

Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO₂ structure
von: Steblenko, L.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and sathodoluminescence in Si/SiO2 structure
von: L. P. Steblenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
von: V. A. Makara, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
von: Yu. A. Asnis, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Features of transformation of impurity-defect complexes in SdTe:Sl under the influence of microwave radiation
von: S. I. Budzuljak, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Radiation modification of intrinsic defect structure of TiO2 films with nanoparticles of noble metals
von: T. O. Busko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
von: A. P. Dolgolenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Luniov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Radiation defects in solids
von: A. I. Olemskoj, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Fluorescence of radiation modification polytetrafluoroethylene
von: T. V. Sakhno, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Si as dopant impurity in CdTe
von: Fochuk, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Luminescence modification of CsI crystal activated by CsCI impurity
von: Voloshinovskii, A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy
von: Grinberg, Marek
Veröffentlicht: (2007)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
von: E. A. Asnis, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
von: R. G. Ikramov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
von: R. G. Ikramov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
von: Kozyrev, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
von: Nikolenko, A.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Modification of the aluminum alloy by the radiation and mechanical treatment
von: Donets, S.E., et al.
Veröffentlicht: (2020)