Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, A. I. Tkachuk, S. P. Movchan |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350493 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique
за авторством: Movchan, S., та інші
Опубліковано: (1999) -
Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013) -
Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013) -
Paraelectric properties of PbTe doped with Ga
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2000)