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Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
1. Verfasser:	G. P. Gaidar
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350497
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