Зображення обкладинки

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	A. E. Belyaev, V. A. Pilipenko, V. M. Anischik, T. V. Petlitskaya, A. V. Sachenko, V. P. Kladko, R. V. Konakova, N. S. Boltovets, T. V. Korostinskaya, L. M. Kapitanchuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351875
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2016)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)