Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si

• Дата: 2013
• Автори: A. E. Belyaev, V. A. Pilipenko, V. M. Anischik, T. V. Petlitskaya, A. V. Sachenko, V. P. Kladko, R. V. Konakova, N. S. Boltovets, T. V. Korostinskaya, L. M. Kapitanchuk
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: 2013
• Назва видання: Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351875
• Назва журналу: Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS