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ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1. 8S heterostructure

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	T. V. Semikina, S. V. Mamykin, M. Godlewski, G. Luka, R. Pietruszka, K. Kopalko, T. A. Krajewski, S. Gieraltowska, L. Wachnicki, L. N. Shmyryeva
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351876
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