Modified correlation equation in the FSDP-related void-based model for As2S(Se)3 chalcogenide glasses
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | T. S. Kavetskyy |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351881 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Modified correlation equation in the FSDP-related void-based model for As₂S(Se)₃ chalcogenide glasses
за авторством: Kavetskyy, T.S.
Опубліковано: (2013) -
Structural properties of chalcogenide glasses As2Se3 doped with manganese
за авторством: O. P. Paiuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Long-term radiation-induced optical darkening effects in chalcogenide glasses
за авторством: T. S. Kavetskyy
Опубліковано: (2016) -
Structural properties of chalcogenide glasses As₂Se₃ doped with manganese
за авторством: Paiuk, O.P., та інші
Опубліковано: (2016) -
Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)