Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | A. Yasunas, D. Kotov, V. Shiripov, U. Radzionay |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351896 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma
за авторством: Yasunas, A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Low-temperature ion-plasma deposition technology of nanostructured films of aluminum and boron nitrides
за авторством: M. S. Zaiats, та інші
Опубліковано: (2021) -
Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge
за авторством: Deryzemlia, A.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
Conversion of carbon dioxide in low-pressure plasma
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2018) -
The formation of the low-sized high density plasma structures in the self-maintained plasma-beam discharge
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2006)