$X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates$

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	N. V. Safriuk, G. V. Stanchu, A. V. Kuchuk, V. P. Kladko, A. E. Belyaev, V. F. Machulin
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352311
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
von: Safriuk, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
von: Liubchenko, O.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: Gasparov, V.A.
Veröffentlicht: (2011)

Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
von: Yu. Tarasova, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: V. A. Gasparov
Veröffentlicht: (2011)

Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
von: Тарасова, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Оптична поляризаційна анізотропія, внутрішній ефект Штарка квантового конфайнменту і вплив кулонівських ефектів на лазерні характеристики [0001]-орієнтованих GaN/Al0,3Ga0,7N квантових ям
von: Lokot, L.O.
Veröffentlicht: (2012)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
von: O. I. Liubchenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)