$X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates$

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	N. V. Safriuk, G. V. Stanchu, A. V. Kuchuk, V. P. Kladko, A. E. Belyaev, V. F. Machulin
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352311
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Schreiben Sie den ersten Kommentar!