Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352318 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001)
An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
Surface mounting of unpackaged power MOSFET
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)
Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications
за авторством: Usenko, A.Y., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Usenko, A.Y., та інші
Опубліковано: (1999)
Torsion crack in a piecewise homogeneous body with a thin layer at the interface
за авторством: I. S. Zvizlo, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: I. S. Zvizlo, та інші
Опубліковано: (2024)
Thin film superconducting quantum interferometer with ultra-low inductance
за авторством: S. I. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. I. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Contact of the faces of an interface thermally insulated crack under thermomechanical loading
за авторством: Kh. I. Serednytska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kh. I. Serednytska, та інші
Опубліковано: (2021)
Interface electronic properties of eterojunctions based on nanocrystalline silicon
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (1999)
Design of LLC resonant converter with silicon carbide MOSFET switches and nonlinear adaptive sliding controller for brushless DC motor system
за авторством: Merlin Suba, G., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Merlin Suba, G., та інші
Опубліковано: (2022)
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
2D integral formulae and equations for thermoelectroelastic bimaterial with thermally insulated interface
за авторством: Ia. M. Pasternak, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ia. M. Pasternak, та інші
Опубліковано: (2014)
Deposition of Ultra-Thin Aluminosilicate Coatings on Metal Surfaces by Aerosol Method
за авторством: Ye. O. Bovsunovskyi
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. O. Bovsunovskyi
Опубліковано: (2013)
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: Rana, A.K., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Rana, A.K., та інші
Опубліковано: (2011)
Diversity and distribution of dinoflagellates in water bodies of Ukraine (critical and systematic revision)
за авторством: Yu. V. Briantseva
Опубліковано: (2023)
за авторством: Yu. V. Briantseva
Опубліковано: (2023)
Diversity and distribution of dinoflagellates in water bodies of Ukraine (critical and systematic revision)
за авторством: Bryantseva, Yu.V.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Bryantseva, Yu.V.
Опубліковано: (2023)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
From the revision of the economic theory to the revision of the economic policy: the traps of the new macroeconomic consensus
за авторством: N. V. Rieznikova, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: N. V. Rieznikova, та інші
Опубліковано: (2021)
A neural computation to study the scaling capability of the undoped DG MOSFET
за авторством: Djeffal, F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Djeffal, F., та інші
Опубліковано: (2008)
Compression of Semi-Bounded Body with a Thin Covering Layer along an Interface Near-the-surface Crack. Part I
за авторством: V. L. Bogdanov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. L. Bogdanov, та інші
Опубліковано: (2024)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Energy efficient of the production of the heat insulation based on the basalt super thin fibers
за авторством: V. O. Kremnov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. O. Kremnov, та інші
Опубліковано: (2018)
The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2014)
The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2014)
Radar Range Equation for Ultra Wideband Signals and Ultra Short Pulses
за авторством: Avdeev, V.B.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Avdeev, V.B.
Опубліковано: (2002)
Radar Range Equation for Ultra Wideband Signals and Ultra Short Pulses
за авторством: Avdeev, V. B.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Avdeev, V. B.
Опубліковано: (2013)
Coupled Electrical and Mechanical Processes in Polyethylene Insulation with Water Tree Having Branches of Complex Structure
за авторством: I. M. Kucheriava
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. M. Kucheriava
Опубліковано: (2016)
Coupled electrical and mechanical processes in polyethylene insulation with water tree having branches of complex structure
за авторством: Kucheriava, I.M.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kucheriava, I.M.
Опубліковано: (2016)
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Revision of the Black Sea dinoflagelate checklist
за авторством: Bryantseva, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Bryantseva, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2025)
Electromechanical transient processes during supply voltage changing in the system of polymer insulation covering of the current-carrying core of ultra high voltage cables
за авторством: Zolotaryov, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zolotaryov, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998) -
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001) -
An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006) -
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011) -
Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)