Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352318 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013) -
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998) -
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001) -
Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006) -
An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)