Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | A. N. Nazarov, A. V. Vasin, S. O. Gordienko, P. M. Lytvyn, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, A. S. Hirov, A. V. Rusavsky, V. P. Popov, V. S. Lysenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352345 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2013) -
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011) -
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011) -
Quanrum oscillations in a rearranged graphene bilayer
за авторством: L. A. Falkovskij
Опубліковано: (2011) -
Anisotropy of conductivity in bilayer graphene with relatively shifted layers
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)