Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | P. I. Baranskyi, H. P. Haidar |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363120 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014) -
About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014) -
Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014) -
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)