The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | Ye. Vakariuk, Yu. S. Hromovoi, V. A. Danko, H. V. Dorozhynskyi, S. A. Zyno, I. Z. Indutnyi, A. V. Samoilov, Yu. V. Ushenin, R. V. Khrystosenko, Ye. Shepeliavyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363125 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si–SiOx structures by vapor treatment
за авторством: Dan’ko, V.A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012) -
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)