Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, V. I. Ivashchenko, O. K. Porada, A. O. Kozak, A. I. Tkachuk, A. T. Voroshchenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363126 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Hard plasmachemical a-SiCN coatings
за авторством: O. K. Porada, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. K. Porada, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
Structure and properties of the coatings of the Al–B–Si–C system deposited by magnetron sputtering
за авторством: A. O. Kozak, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. O. Kozak, та інші
Опубліковано: (2020)
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical properties of In/p-pbte structures
за авторством: H. P. Malanych, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. P. Malanych, та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние отжига на структуру и механические свойства плазмохимических SiCN-пленок из гексаметилдисилазана
за авторством: Порада, А.К., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Порада, А.К., та інші
Опубліковано: (2010)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of the nitrogen flow on the properties of Si–C–N amorphous thin films produced by magnetron sputtering
за авторством: A. O. Kozak, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. O. Kozak, та інші
Опубліковано: (2015)
Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe
за авторством: A. I. Mostovoj, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. I. Mostovoj, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
за авторством: Ismail, Raid A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ismail, Raid A., та інші
Опубліковано: (2006)
Simulation study of n-ZnO/p-Si heterojunction solar cell
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011)
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Deposition and characterization of thin Si–B–C–N films by dc reactive magnetron sputtering of composed Si/B4C target
за авторством: A. A. Onoprienko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. A. Onoprienko, та інші
Опубліковано: (2019)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of conditions of deposition and annealing on a nanohardness of amorphous Si–C–N films
за авторством: O. K. Porada
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. K. Porada
Опубліковано: (2015)
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Electrical properties of carbon-inorganic nanocomposites C/MXOY/SiO2
за авторством: S. N. Makhno, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. N. Makhno, та інші
Опубліковано: (2012)
Structure and mechanical properties of Ti–Al–C and Ti–Al–Si–C films: experimental and first-principles investigations
за авторством: V. I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
Economic aspects of realization of autonomous charger stations of electric power based on photoelectric batteries
за авторством: V. I. Budko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. I. Budko, та інші
Опубліковано: (2018)
Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Схожі ресурси
-
Hard plasmachemical a-SiCN coatings
за авторством: O. K. Porada, та інші
Опубліковано: (2016) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012) -
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)