Зображення обкладинки

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	A. V. Karimov, D. M. Jodgorova, F. A. Gijasova, M. A. Mirdzhalilova, G. O. Asanova, O. A. Abdulkhaev, Zh. F. Mukhutdinov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)

Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Phototransistor composite on field effect transistors
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Dynamic characteristics of the rectifier with pulse width modulation
за авторством: Ja. V. Shcherbak, та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Research of the photo-electric characteristics microphototerminal
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2006)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

CHARACTERISTICS OF SPECIALIZED SINGLE-PHASE HIGH VOLTAGE DOUBLER RECTIFIER
за авторством: Brzhezitsky, V. O., та інші
Опубліковано: (2018)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Quality characteristics of single-phase bridge rectifier with active load and capacitary filter for power from the current source
за авторством: V. M. Spirin, та інші
Опубліковано: (2020)

Control characteristics of active four-quadrant converter in rectifier and recovery mode
за авторством: Ya. V. Shcherbak, та інші
Опубліковано: (2017)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)

Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Combined controlled rectifiers of single-phase power supply
за авторством: V. I. Zozulev, та інші
Опубліковано: (2018)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2016)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

The Compensator Current Form Determining During the Wind Generator Operation on the Rectified Load
за авторством: E. S. Osipenko
Опубліковано: (2014)

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Features of the processes of change of output voltage regulators rectified current built of transformer-and-switches executive structure
за авторством: K. O. Lypkivskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)